MOS管是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体器件，主要参数有输入/输出特性曲线、阈值电压(VGS(th))、漏电流(IGSS、IDSS)，击穿电压(VDSS)、低频互导(gm)、输出电阻(RDS)等；直流I-V测试是表征MOSFET特性的基础，通常使用I-V特性分析或I-V曲线来决定器件的基本参数，通过实验帮助工程师提取MOSFET的基本I-V特性参数，并在整个工艺流程结束后评估器件的优劣。
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